RU1L002SN Todos los transistores

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RU1L002SN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU1L002SN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.25 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 4.5 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.7 Ohm

Empaquetado / Estuche: UMT3F

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RU1L002SN Datasheet (PDF)

1.1. ru1l002sn.pdf Size:1076K _rohm

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Data Sheet 2.5V Drive Nch MOSFET RU1L002SN ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET UMT3F 2.0 0.9 0.32 (3) ?Features 1) Low on-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (1) (2) 3) Small package (UMT3F). 0.65 0.65 0.13 1.3 Abbreviated symbol : RK ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit (3) Package Taping Type Code TCL Basi

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