RU1L002SN Todos los transistores

 

RU1L002SN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RU1L002SN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm

Encapsulados: UMT3F

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RU1L002SN datasheet

 ..1. Size:1076K  rohm
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RU1L002SN

Data Sheet 2.5V Drive Nch MOSFET RU1L002SN Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET UMT3F 2.0 0.9 0.32 (3) Features 1) Low on-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (1) (2) 3) Small package (UMT3F). 0.65 0.65 0.13 1.3 Abbreviated symbol RK Application Switching Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type

Otros transistores... RTR020N05 , RTR025N03 , RTR025N05 , RTR030N05 , RTR040N03 , RU1C002UN , RU1C002ZP , RU1E002SP , STP65NF06 , RUC002N05 , RUE002N02 , RUE002N05 , RUF015N02 , RUF020N02 , RUF025N02 , RUL035N02 , RUM002N02 .

History: IRF720PBF | AP02N60H-H | EMB09P03V | HCA70R180 | IPP60R099P7 | BSC080N03LS | 4N60L-TF1-T

 

 

 

 

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