RU1L002SN Todos los transistores

 

RU1L002SN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RU1L002SN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: UMT3F
 

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RU1L002SN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1076K  rohm
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RU1L002SN

Data Sheet2.5V Drive Nch MOSFET RU1L002SN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET UMT3F2.00.90.32(3)Features1) Low on-resistance.2) Low voltage drive (2.5V drive).(1) (2)3) Small package (UMT3F). 0.65 0.65 0.131.3Abbreviated symbol : RK ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingType

Otros transistores... RTR020N05 , RTR025N03 , RTR025N05 , RTR030N05 , RTR040N03 , RU1C002UN , RU1C002ZP , RU1E002SP , IRFZ48N , RUC002N05 , RUE002N02 , RUE002N05 , RUF015N02 , RUF020N02 , RUF025N02 , RUL035N02 , RUM002N02 .

History: IXFV12N100P | UT45N03 | 2SK2819 | AFN3466 | 2SK3113-Z | IPD25N06S2-40 | BSC020N025SG

 

 
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