RU1L002SN - аналоги и даташиты транзистора

 

RU1L002SN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RU1L002SN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm
   Тип корпуса: UMT3F
 

 Аналог (замена) для RU1L002SN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1L002SN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1076K  rohm
 ru1l002sn.pdf pdf_icon

RU1L002SN

Data Sheet2.5V Drive Nch MOSFET RU1L002SN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET UMT3F2.00.90.32(3)Features1) Low on-resistance.2) Low voltage drive (2.5V drive).(1) (2)3) Small package (UMT3F). 0.65 0.65 0.131.3Abbreviated symbol : RK ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingType

Другие MOSFET... RTR020N05 , RTR025N03 , RTR025N05 , RTR030N05 , RTR040N03 , RU1C002UN , RU1C002ZP , RU1E002SP , IRFZ48N , RUC002N05 , RUE002N02 , RUE002N05 , RUF015N02 , RUF020N02 , RUF025N02 , RUL035N02 , RUM002N02 .

History: RUF020N02 | AFN3466 | FQI47P06TU | FQA28N50F | 2SK2817 | IPD25N06S2-40 | 2SK2819

 

 
Back to Top

 


 
.