RU1L002SN - описание и поиск аналогов

 

RU1L002SN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RU1L002SN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm

Тип корпуса: UMT3F

Аналог (замена) для RU1L002SN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1L002SN даташит

 ..1. Size:1076K  rohm
 ru1l002sn.pdf pdf_icon

RU1L002SN

Data Sheet 2.5V Drive Nch MOSFET RU1L002SN Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET UMT3F 2.0 0.9 0.32 (3) Features 1) Low on-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (1) (2) 3) Small package (UMT3F). 0.65 0.65 0.13 1.3 Abbreviated symbol RK Application Switching Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type

Другие MOSFET... RTR020N05 , RTR025N03 , RTR025N05 , RTR030N05 , RTR040N03 , RU1C002UN , RU1C002ZP , RU1E002SP , STP65NF06 , RUC002N05 , RUE002N02 , RUE002N05 , RUF015N02 , RUF020N02 , RUF025N02 , RUL035N02 , RUM002N02 .

History: SWD051R08ES | AP9970GW | IXFT50N85XHV

 

 

 

 

↑ Back to Top
.