Справочник MOSFET. RU1L002SN

 

RU1L002SN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RU1L002SN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm
   Тип корпуса: UMT3F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RU1L002SN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1076K  rohm
 ru1l002sn.pdf pdf_icon

RU1L002SN

Data Sheet2.5V Drive Nch MOSFET RU1L002SN Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET UMT3F2.00.90.32(3)Features1) Low on-resistance.2) Low voltage drive (2.5V drive).(1) (2)3) Small package (UMT3F). 0.65 0.65 0.131.3Abbreviated symbol : RK ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingType

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRFI510GPBF | NVA4001N | STP5NB40 | FHF13N50A | UF630 | 2SK2045LS | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.