RUC002N05 Todos los transistores

 

RUC002N05 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RUC002N05

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm

Encapsulados: SST3 SOT23

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RUC002N05 datasheet

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RUC002N05

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RUC002N05

RUC002N05HZGT116 Datasheet Nch 50V 200mA Small Signal MOSFET AEC-Q101 Qualified lOutline l SOT-23 VDSS 50V SST3 RDS(on)(Max.) 2.2 ID 200mA PD 350mW lInner circuit l lFeatures l 1) Very fast switching 2) Ultra low voltage drive(1.2V drive) 3) AEC-Q101 Qualified 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 5) Halogen

Otros transistores... RTR025N03 , RTR025N05 , RTR030N05 , RTR040N03 , RU1C002UN , RU1C002ZP , RU1E002SP , RU1L002SN , IRF1405 , RUE002N02 , RUE002N05 , RUF015N02 , RUF020N02 , RUF025N02 , RUL035N02 , RUM002N02 , RUM002N05 .

History: RUF025N02 | SUD23N06-31

 

 

 

 

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