RUC002N05 - описание и поиск аналогов

 

RUC002N05. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RUC002N05

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: SST3 SOT23

Аналог (замена) для RUC002N05

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUC002N05 даташит

 ..1. Size:195K  rohm
 ruc002n05.pdf pdf_icon

RUC002N05

 0.1. Size:2353K  rohm
 ruc002n05hzgt116.pdf pdf_icon

RUC002N05

RUC002N05HZGT116 Datasheet Nch 50V 200mA Small Signal MOSFET AEC-Q101 Qualified lOutline l SOT-23 VDSS 50V SST3 RDS(on)(Max.) 2.2 ID 200mA PD 350mW lInner circuit l lFeatures l 1) Very fast switching 2) Ultra low voltage drive(1.2V drive) 3) AEC-Q101 Qualified 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 5) Halogen

Другие MOSFET... RTR025N03 , RTR025N05 , RTR030N05 , RTR040N03 , RU1C002UN , RU1C002ZP , RU1E002SP , RU1L002SN , IRF1405 , RUE002N02 , RUE002N05 , RUF015N02 , RUF020N02 , RUF025N02 , RUL035N02 , RUM002N02 , RUM002N05 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.