Справочник MOSFET. RUC002N05

 

RUC002N05 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RUC002N05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: SST3 SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RUC002N05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:195K  rohm
 ruc002n05.pdf pdf_icon

RUC002N05

1.2V Drive Nch MOSFET RUC002N05 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET SST3Features1) High speed switing.2) Small package(SST3).3)Ultra low voltage drive(1.2V drive).Abbreviated symbol : RH ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(3)TypeCode T116Basic ordering unit (pieces) 3000

 0.1. Size:2353K  rohm
 ruc002n05hzgt116.pdf pdf_icon

RUC002N05

RUC002N05HZGT116DatasheetNch 50V 200mA Small Signal MOSFETAEC-Q101 QualifiedlOutlinel SOT-23VDSS50V SST3RDS(on)(Max.)2.2ID200mAPD350mW lInner circuitllFeaturesl1) Very fast switching2) Ultra low voltage drive(1.2V drive)3) AEC-Q101 Qualified4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.5) Halogen

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SE4060 | ZXMN0545G4 | IPA600N25NM3S

 

 
Back to Top

 


 
.