RUF015N02 Todos los transistores

 

RUF015N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RUF015N02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: TUMT3
     - Selección de transistores por parámetros

 

RUF015N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  rohm
 ruf015n02.pdf pdf_icon

RUF015N02

RUF015N02 Transistors 1.8V Drive Nch MOSFET RUF015N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT3). 3) Low voltage drive (1.8V drive). (1) Gate(2) SourceAbbreviated symbol : PS Applications(3) DrainSwitching Packaging specifications Inner circuit (3)P

 0.1. Size:109K  ruichips
 ruf015n02tl.pdf pdf_icon

RUF015N02

RUF015N02 Transistors 1.8V Drive Nch MOSFET RUF015N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT3). 3) Low voltage drive (1.8V drive). (1) Gate(2) SourceAbbreviated symbol : PS Applications(3) DrainSwitching Packaging specifications Inner circuit (3)P

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History: WMLL020N08HGS | SGSP475 | SMK0260DN

 

 
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