Справочник MOSFET. RUF015N02

 

RUF015N02 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RUF015N02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.8 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 5 ns
   Выходная емкость (Cd): 18 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TUMT3

 Аналог (замена) для RUF015N02

 

 

RUF015N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  rohm
 ruf015n02.pdf

RUF015N02 RUF015N02

RUF015N02 Transistors 1.8V Drive Nch MOSFET RUF015N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT3). 3) Low voltage drive (1.8V drive). (1) Gate(2) SourceAbbreviated symbol : PS Applications(3) DrainSwitching Packaging specifications Inner circuit (3)P

 0.1. Size:109K  ruichips
 ruf015n02tl.pdf

RUF015N02 RUF015N02

RUF015N02 Transistors 1.8V Drive Nch MOSFET RUF015N02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low On-resistance. 2) Space saving, small surface mount package (TUMT3). 3) Low voltage drive (1.8V drive). (1) Gate(2) SourceAbbreviated symbol : PS Applications(3) DrainSwitching Packaging specifications Inner circuit (3)P

Другие MOSFET... RTR040N03 , RU1C002UN , RU1C002ZP , RU1E002SP , RU1L002SN , RUC002N05 , RUE002N02 , RUE002N05 , CEP83A3 , RUF020N02 , RUF025N02 , RUL035N02 , RUM002N02 , RUM002N05 , RUQ050N02 , RUR020N02 , RUR040N02 .

History: STN7400

 

 
Back to Top