RUU002N05 Todos los transistores

 

RUU002N05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RUU002N05
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: UMT3 SC70 SOT323
 

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RUU002N05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  rohm
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RUU002N05

1.2V Drive Nch MOSFET RUU002N05 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETUMT3(SC-70)Features1) High speed switing.2) Small package(UMT3).3)Ultra low voltage drive(1.2V drive).Abbreviated symbol : RH ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(3)TypeCode T106Basic ordering unit (piece

Otros transistores... RUF020N02 , RUF025N02 , RUL035N02 , RUM002N02 , RUM002N05 , RUQ050N02 , RUR020N02 , RUR040N02 , MMIS60R580P , RVQ040N05 , RW1A013ZP , RW1A020ZP , RW1A025AP , RW1A030AP , RW1C015UN , RW1C020UN , RW1C025ZP .

History: AP1003BST | AP4800DGM-HF | SSW80R180S2

 

 
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