RUU002N05 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RUU002N05
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
Encapsulados: UMT3 SC70 SOT323
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RUU002N05 datasheet
ruu002n05.pdf
1.2V Drive Nch MOSFET RUU002N05 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET UMT3 (SC-70) Features 1) High speed switing. 2) Small package(UMT3). 3)Ultra low voltage drive(1.2V drive). Abbreviated symbol RH Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (3) Type Code T106 Basic ordering unit (piece
Otros transistores... RUF020N02 , RUF025N02 , RUL035N02 , RUM002N02 , RUM002N05 , RUQ050N02 , RUR020N02 , RUR040N02 , MMIS60R580P , RVQ040N05 , RW1A013ZP , RW1A020ZP , RW1A025AP , RW1A030AP , RW1C015UN , RW1C020UN , RW1C025ZP .
History: HM4402B | HM4402C
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Liste
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