Справочник MOSFET. RUU002N05

 

RUU002N05 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RUU002N05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: UMT3 SC70 SOT323
 

 Аналог (замена) для RUU002N05

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RUU002N05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  rohm
 ruu002n05.pdf pdf_icon

RUU002N05

1.2V Drive Nch MOSFET RUU002N05 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETUMT3(SC-70)Features1) High speed switing.2) Small package(UMT3).3)Ultra low voltage drive(1.2V drive).Abbreviated symbol : RH ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(3)TypeCode T106Basic ordering unit (piece

Другие MOSFET... RUF020N02 , RUF025N02 , RUL035N02 , RUM002N02 , RUM002N05 , RUQ050N02 , RUR020N02 , RUR040N02 , 2N7002 , RVQ040N05 , RW1A013ZP , RW1A020ZP , RW1A025AP , RW1A030AP , RW1C015UN , RW1C020UN , RW1C025ZP .

History: AM2319P-T1 | 2SK3872-01SJ | OSG65R580FT3F | RJK6025DPD | FDD7030BL | AP2428GN3 | IRFH8330PBF

 

 
Back to Top

 


 
.