RW1A030AP Todos los transistores

 

RW1A030AP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RW1A030AP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: WEMT6
     - Selección de transistores por parámetros

 

RW1A030AP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1127K  rohm
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RW1A030AP

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFETRW1A030AP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETWEMT6(6) (5) (4)Features1) Low On-resistance.2) Small high power package.(1) (2) (3)3) Low voltage drive.(1.5V)Abbreviated symbol : SB ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingType Code T2CR2Bas

 9.1. Size:1126K  rohm
 rw1a025ap.pdf pdf_icon

RW1A030AP

Data Sheet1.5V Drive Pch MOSFET RW1A025AP Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETWEMT6(6) (5) (4)Features1) Low On-resistance.2) Small high power package.(1) (2) (3)3) Low voltage drive.(1.5V)Abbreviated symbol : SD ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingType Code T2CR2Ba

 9.2. Size:224K  rohm
 rw1a020zp.pdf pdf_icon

RW1A030AP

1.5V Drive Pch MOSFET RW1A020ZP Structure Dimensions (Unit : mm) WEMT6Silicon P-channel MOSFET (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3)2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol : ZE Applications Inner circuit Switching (6) (5) (4)2 Packaging specifications Package Taping1Type Code T2R(1) DrainBasic or

 9.3. Size:203K  rohm
 rw1a013zp.pdf pdf_icon

RW1A030AP

1.5V Drive Pch MOSFET RW1A013ZP Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET WEMT6(6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. (1) (2) (3)3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol : XC Application Inner circuit Switching (6) (5) (4)2 Packaging specifications 1Package TapingType Code T2R(1) DrainBasic orderi

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History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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