RW1A030AP - описание и поиск аналогов

 

RW1A030AP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RW1A030AP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: WEMT6

Аналог (замена) для RW1A030AP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RW1A030AP даташит

 ..1. Size:1127K  rohm
rw1a030ap.pdfpdf_icon

RW1A030AP

Data Sheet 1.5V Drive Pch MOSFET RW1A030AP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET WEMT6 (6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 2) Small high power package. (1) (2) (3) 3) Low voltage drive.(1.5V) Abbreviated symbol SB Application Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code T2CR 2 Bas

 9.1. Size:1126K  rohm
rw1a025ap.pdfpdf_icon

RW1A030AP

Data Sheet 1.5V Drive Pch MOSFET RW1A025AP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET WEMT6 (6) (5) (4) Features 1) Low On-resistance. 2) Small high power package. (1) (2) (3) 3) Low voltage drive.(1.5V) Abbreviated symbol SD Application Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code T2CR 2 Ba

 9.2. Size:224K  rohm
rw1a020zp.pdfpdf_icon

RW1A030AP

1.5V Drive Pch MOSFET RW1A020ZP Structure Dimensions (Unit mm) WEMT6 Silicon P-channel MOSFET (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) (3) 2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol ZE Applications Inner circuit Switching (6) (5) (4) 2 Packaging specifications Package Taping 1 Type Code T2R (1) Drain Basic or

 9.3. Size:203K  rohm
rw1a013zp.pdfpdf_icon

RW1A030AP

1.5V Drive Pch MOSFET RW1A013ZP Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET WEMT6 (6) (5) (4) Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. (1) (2) (3) 3) Low voltage drive. (1.5V) Abbreviated symbol XC Application Inner circuit Switching (6) (5) (4) 2 Packaging specifications 1 Package Taping Type Code T2R (1) Drain Basic orderi

Другие MOSFET... RUQ050N02 , RUR020N02 , RUR040N02 , RUU002N05 , RVQ040N05 , RW1A013ZP , RW1A020ZP , RW1A025AP , AO4468 , RW1C015UN , RW1C020UN , RW1C025ZP , RW1E014SN , RW1E015RP , RW1E025RP , RXH070N03 , RXH090N03 .

History: IPD70R600CE | RW1E025RP | ME7839S-G | WMR07P03TS | APT10035JFLL | AP3C023AMT

 

 

 

 

↑ Back to Top
.