RXH100N03 Todos los transistores

 

RXH100N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RXH100N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm

Encapsulados: SOP8

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RXH100N03 datasheet

 ..1. Size:1124K  rohm
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RXH100N03

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RXH100N03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8 (8) (5) Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) (4) 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5) Type Code TB Basic ordering unit (piece

Otros transistores... RW1C015UN , RW1C020UN , RW1C025ZP , RW1E014SN , RW1E015RP , RW1E025RP , RXH070N03 , RXH090N03 , 50N06 , RXH125N03 , RXQ040N03 , RXR035N03 , RYC002N05 , RYE002N05 , RYM002N05 , RYU002N05 , RZE002P02 .

History: DMP56D0UFB | UPA1727G

 

 

 

 

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