Справочник MOSFET. RXH100N03

 

RXH100N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RXH100N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для RXH100N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RXH100N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1124K  rohm
 rxh100n03.pdf pdf_icon

RXH100N03

Data Sheet4V Drive Nch MOSFETRXH100N03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETSOP8(8) (5)Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (4)3) Small Surface Mount Package (SOP8). ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(8) (7) (6) (5)TypeCode TBBasic ordering unit (piece

Другие MOSFET... RW1C015UN , RW1C020UN , RW1C025ZP , RW1E014SN , RW1E015RP , RW1E025RP , RXH070N03 , RXH090N03 , 50N06 , RXH125N03 , RXQ040N03 , RXR035N03 , RYC002N05 , RYE002N05 , RYM002N05 , RYU002N05 , RZE002P02 .

History: S10H08R | 7N65G-TF3T-T | AP30H80G | TSM2303CX | YJD80N03A | SI2341 | SI4825DY

 

 
Back to Top

 


 
.