RXQ040N03 Todos los transistores

 

RXQ040N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RXQ040N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: TSMT6

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RXQ040N03 datasheet

 ..1. Size:1273K  rohm
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RXQ040N03

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RXQ040N03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT6 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TSMT6). Abbreviated symbol XQ Application Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TCR 2 Basic orderin

Otros transistores... RW1C025ZP , RW1E014SN , RW1E015RP , RW1E025RP , RXH070N03 , RXH090N03 , RXH100N03 , RXH125N03 , IRFZ44 , RXR035N03 , RYC002N05 , RYE002N05 , RYM002N05 , RYU002N05 , RZE002P02 , RZF013P01 , RZF020P01 .

History: UPA1727G | DMP56D0UFB

 

 

 

 

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