RXQ040N03 Todos los transistores

 

RXQ040N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RXQ040N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT6
 

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RXQ040N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1273K  rohm
 rxq040n03.pdf pdf_icon

RXQ040N03

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RXQ040N03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETTSMT6Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (TSMT6).Abbreviated symbol : XQ ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode TCR2Basic orderin

Otros transistores... RW1C025ZP , RW1E014SN , RW1E015RP , RW1E025RP , RXH070N03 , RXH090N03 , RXH100N03 , RXH125N03 , IRFZ44 , RXR035N03 , RYC002N05 , RYE002N05 , RYM002N05 , RYU002N05 , RZE002P02 , RZF013P01 , RZF020P01 .

History: HTD1K5N10 | QM3014M6 | BL7N60A-D

 

 
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