Справочник MOSFET. RXQ040N03

 

RXQ040N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RXQ040N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6
 

 Аналог (замена) для RXQ040N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RXQ040N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1273K  rohm
 rxq040n03.pdf pdf_icon

RXQ040N03

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RXQ040N03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETTSMT6Features1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (TSMT6).Abbreviated symbol : XQ ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingTypeCode TCR2Basic orderin

Другие MOSFET... RW1C025ZP , RW1E014SN , RW1E015RP , RW1E025RP , RXH070N03 , RXH090N03 , RXH100N03 , RXH125N03 , IRFZ44 , RXR035N03 , RYC002N05 , RYE002N05 , RYM002N05 , RYU002N05 , RZE002P02 , RZF013P01 , RZF020P01 .

History: IPB70N04S4-06 | IRF5NJ6215

 

 
Back to Top

 


 
.