RXQ040N03 - описание и поиск аналогов

 

RXQ040N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RXQ040N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TSMT6

Аналог (замена) для RXQ040N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RXQ040N03 даташит

 ..1. Size:1273K  rohm
 rxq040n03.pdf pdf_icon

RXQ040N03

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RXQ040N03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT6 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TSMT6). Abbreviated symbol XQ Application Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TCR 2 Basic orderin

Другие MOSFET... RW1C025ZP , RW1E014SN , RW1E015RP , RW1E025RP , RXH070N03 , RXH090N03 , RXH100N03 , RXH125N03 , IRFZ44 , RXR035N03 , RYC002N05 , RYE002N05 , RYM002N05 , RYU002N05 , RZE002P02 , RZF013P01 , RZF020P01 .

History: DN2470 | SUM110N04-03 | AP20WN170I | H4N65D | SMG2306NE

 

 

 

 

↑ Back to Top
.