RXR035N03 Todos los transistores

 

RXR035N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RXR035N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: TSMT3

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RXR035N03 datasheet

 ..1. Size:1213K  rohm
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RXR035N03

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RXR035N03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT3 Features (3) 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) (2) 3) Small Surface Mount Package (TSMT3). Abbreviated symbol XQ Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (3) Type Code TCL Basic orderin

Otros transistores... RW1E014SN , RW1E015RP , RW1E025RP , RXH070N03 , RXH090N03 , RXH100N03 , RXH125N03 , RXQ040N03 , IRF640 , RYC002N05 , RYE002N05 , RYM002N05 , RYU002N05 , RZE002P02 , RZF013P01 , RZF020P01 , RZF030P01 .

History: SDF450 | AP25N170I

 

 

 

 

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