Справочник MOSFET. RXR035N03

 

RXR035N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RXR035N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TSMT3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RXR035N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1213K  rohm
 rxr035n03.pdf pdf_icon

RXR035N03

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RXR035N03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETTSMT3Features(3)1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2)3) Small Surface Mount Package (TSMT3).Abbreviated symbol : XQ ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(3)TypeCode TCLBasic orderin

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 7N65G-TN3-R | STW65N65DM2AG | 2SK610 | 2SK2525-01 | 2SK3479-Z | AP55T10GH-HF | MXP4004BF

 

 
Back to Top

 


 
.