Справочник MOSFET. RXR035N03

 

RXR035N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RXR035N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TSMT3
 

 Аналог (замена) для RXR035N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RXR035N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1213K  rohm
 rxr035n03.pdf pdf_icon

RXR035N03

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RXR035N03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETTSMT3Features(3)1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2)3) Small Surface Mount Package (TSMT3).Abbreviated symbol : XQ ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(3)TypeCode TCLBasic orderin

Другие MOSFET... RW1E014SN , RW1E015RP , RW1E025RP , RXH070N03 , RXH090N03 , RXH100N03 , RXH125N03 , RXQ040N03 , IRFP460 , RYC002N05 , RYE002N05 , RYM002N05 , RYU002N05 , RZE002P02 , RZF013P01 , RZF020P01 , RZF030P01 .

 

 
Back to Top

 


 
.