RYC002N05 Todos los transistores

 

RYC002N05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RYC002N05
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: SST3 SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

RYC002N05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1157K  rohm
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RYC002N05

Data Sheet0.9V Drive Nch MOSFETRYC002N05 Structure Dimensions (Unit : mm)SST3Silicon N-channel MOSFETFeatures1) High speed switing.2) Small package(SST3).3)Ultra low voltage drive(0.9V drive).Abbreviated symbol : QJ ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode T316Basic ordering unit (piece

 ..2. Size:434K  tysemi
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RYC002N05

Product specificationRYC002N050.9V Drive Nch MOSFET Structure Dimensions (Unit : mm)SST3Silicon N-channel MOSFETFeatures1) High speed switing.2) Small package(SST3).3)Ultra low voltage drive(0.9V drive).Abbreviated symbol : QJ ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode T316Basic ordering

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: KF9N25D | GSM2341 | RRL025P03 | 1404TR | SMG2301 | BSS123A | AO3415W

 

 
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