RYC002N05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RYC002N05
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: SST3 SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RYC002N05

RYC002N05 Datasheet (PDF)

..1. Size:1157K rohm
ryc002n05.pdf

Data Sheet0.9V Drive Nch MOSFETRYC002N05 Structure Dimensions (Unit : mm)SST3Silicon N-channel MOSFETFeatures1) High speed switing.2) Small package(SST3).3)Ultra low voltage drive(0.9V drive).Abbreviated symbol : QJ ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode T316Basic ordering unit (piece

..2. Size:434K tysemi
ryc002n05.pdf

Product specificationRYC002N050.9V Drive Nch MOSFET Structure Dimensions (Unit : mm)SST3Silicon N-channel MOSFETFeatures1) High speed switing.2) Small package(SST3).3)Ultra low voltage drive(0.9V drive).Abbreviated symbol : QJ ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode T316Basic ordering

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: