RYC002N05 Todos los transistores

 

RYC002N05 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RYC002N05

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm

Encapsulados: SST3 SOT23

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RYC002N05 datasheet

 ..1. Size:1157K  rohm
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RYC002N05

Data Sheet 0.9V Drive Nch MOSFET RYC002N05 Structure Dimensions (Unit mm) SST3 Silicon N-channel MOSFET Features 1) High speed switing. 2) Small package(SST3). 3)Ultra low voltage drive(0.9V drive). Abbreviated symbol QJ Application Switching Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code T316 Basic ordering unit (piece

 ..2. Size:434K  tysemi
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RYC002N05

Product specification RYC002N05 0.9V Drive Nch MOSFET Structure Dimensions (Unit mm) SST3 Silicon N-channel MOSFET Features 1) High speed switing. 2) Small package(SST3). 3)Ultra low voltage drive(0.9V drive). Abbreviated symbol QJ Application Switching Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code T316 Basic ordering

Otros transistores... RW1E015RP , RW1E025RP , RXH070N03 , RXH090N03 , RXH100N03 , RXH125N03 , RXQ040N03 , RXR035N03 , IRF1404 , RYE002N05 , RYM002N05 , RYU002N05 , RZE002P02 , RZF013P01 , RZF020P01 , RZF030P01 , RZM002P02 .

History: 2SK2968 | ASDM4614S | H5N60D | IAUC70N08S5N074 | FDB070AN06A0-F085 | BSC190N12NS3G | HM4444

 

 

 

 

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