Справочник MOSFET. RYC002N05

 

RYC002N05 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RYC002N05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: SST3 SOT23

 Аналог (замена) для RYC002N05

 

 

RYC002N05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1157K  rohm
 ryc002n05.pdf

RYC002N05 RYC002N05

Data Sheet0.9V Drive Nch MOSFETRYC002N05 Structure Dimensions (Unit : mm)SST3Silicon N-channel MOSFETFeatures1) High speed switing.2) Small package(SST3).3)Ultra low voltage drive(0.9V drive).Abbreviated symbol : QJ ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode T316Basic ordering unit (piece

 ..2. Size:434K  tysemi
 ryc002n05.pdf

RYC002N05 RYC002N05

Product specificationRYC002N050.9V Drive Nch MOSFET Structure Dimensions (Unit : mm)SST3Silicon N-channel MOSFETFeatures1) High speed switing.2) Small package(SST3).3)Ultra low voltage drive(0.9V drive).Abbreviated symbol : QJ ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode T316Basic ordering

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top