RYE002N05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RYE002N05
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.8 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: EMT3 SC75A SOT416

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RYE002N05

RYE002N05 Datasheet (PDF)

..1. Size:303K rohm
rye002n05.pdf

0.9V Drive Nch MOSFET RYE002N05 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETEMT3(SC-75A) Features1) High speed switing.2) Small package(EMT3).3) Ultra low voltage drive(0.9V drive).Abbreviated symbol : QJ ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode TCLBasic ordering unit (pieces) 3000RYE002N0

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: