RYE002N05 Todos los transistores

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RYE002N05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RYE002N05

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.15 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 50 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 8 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 6 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.6 Ohm

Empaquetado / Estuche: EMT3_SC75A_SOT416

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RYE002N05 Datasheet (PDF)

1.1. rye002n05.pdf Size:303K _rohm

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0.9V Drive Nch MOSFET RYE002N05 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET EMT3 (SC-75A) Features 1) High speed switing. 2) Small package(EMT3). 3) Ultra low voltage drive(0.9V drive). Abbreviated symbol : QJ Application Switching Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code TCL Basic ordering unit (pieces) 3000 RYE002N05

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