RYE002N05 Todos los transistores

 

RYE002N05 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RYE002N05

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm

Encapsulados: EMT3 SC75A SOT416

 Búsqueda de reemplazo de RYE002N05 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

RYE002N05 datasheet

 ..1. Size:303K  rohm
 rye002n05.pdf pdf_icon

RYE002N05

0.9V Drive Nch MOSFET RYE002N05 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET EMT3 (SC-75A) Features 1) High speed switing. 2) Small package(EMT3). 3) Ultra low voltage drive(0.9V drive). Abbreviated symbol QJ Application Switching Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code TCL Basic ordering unit (pieces) 3000 RYE002N0

Otros transistores... RW1E025RP , RXH070N03 , RXH090N03 , RXH100N03 , RXH125N03 , RXQ040N03 , RXR035N03 , RYC002N05 , IRLZ44N , RYM002N05 , RYU002N05 , RZE002P02 , RZF013P01 , RZF020P01 , RZF030P01 , RZM002P02 , RZQ050P01 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.