RYE002N05 Todos los transistores

 

RYE002N05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RYE002N05
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: EMT3 SC75A SOT416
 

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RYE002N05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  rohm
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RYE002N05

0.9V Drive Nch MOSFET RYE002N05 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETEMT3(SC-75A) Features1) High speed switing.2) Small package(EMT3).3) Ultra low voltage drive(0.9V drive).Abbreviated symbol : QJ ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode TCLBasic ordering unit (pieces) 3000RYE002N0

Otros transistores... RW1E025RP , RXH070N03 , RXH090N03 , RXH100N03 , RXH125N03 , RXQ040N03 , RXR035N03 , RYC002N05 , IRFP260N , RYM002N05 , RYU002N05 , RZE002P02 , RZF013P01 , RZF020P01 , RZF030P01 , RZM002P02 , RZQ050P01 .

History: STW55NM50N | SVS65R280FD4 | S10H06RN | IPB407N30N | IRF321 | RS1E280GN | AP95T07AGP

 

 
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