Справочник MOSFET. RYE002N05

 

RYE002N05 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RYE002N05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: EMT3 SC75A SOT416
 

 Аналог (замена) для RYE002N05

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RYE002N05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  rohm
 rye002n05.pdf pdf_icon

RYE002N05

0.9V Drive Nch MOSFET RYE002N05 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETEMT3(SC-75A) Features1) High speed switing.2) Small package(EMT3).3) Ultra low voltage drive(0.9V drive).Abbreviated symbol : QJ ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode TCLBasic ordering unit (pieces) 3000RYE002N0

Другие MOSFET... RW1E025RP , RXH070N03 , RXH090N03 , RXH100N03 , RXH125N03 , RXQ040N03 , RXR035N03 , RYC002N05 , IRFP260N , RYM002N05 , RYU002N05 , RZE002P02 , RZF013P01 , RZF020P01 , RZF030P01 , RZM002P02 , RZQ050P01 .

 

 
Back to Top

 


 
.