Справочник MOSFET. RYE002N05

 

RYE002N05 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RYE002N05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: EMT3 SC75A SOT416

 Аналог (замена) для RYE002N05

 

 

RYE002N05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  rohm
 rye002n05.pdf

RYE002N05 RYE002N05

0.9V Drive Nch MOSFET RYE002N05 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETEMT3(SC-75A) Features1) High speed switing.2) Small package(EMT3).3) Ultra low voltage drive(0.9V drive).Abbreviated symbol : QJ ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode TCLBasic ordering unit (pieces) 3000RYE002N0

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IXFV26N60P

 

 
Back to Top