RYE002N05 - описание и поиск аналогов

 

RYE002N05. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RYE002N05

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: EMT3 SC75A SOT416

Аналог (замена) для RYE002N05

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RYE002N05 даташит

 ..1. Size:303K  rohm
 rye002n05.pdf pdf_icon

RYE002N05

0.9V Drive Nch MOSFET RYE002N05 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET EMT3 (SC-75A) Features 1) High speed switing. 2) Small package(EMT3). 3) Ultra low voltage drive(0.9V drive). Abbreviated symbol QJ Application Switching Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code TCL Basic ordering unit (pieces) 3000 RYE002N0

Другие MOSFET... RW1E025RP , RXH070N03 , RXH090N03 , RXH100N03 , RXH125N03 , RXQ040N03 , RXR035N03 , RYC002N05 , IRLZ44N , RYM002N05 , RYU002N05 , RZE002P02 , RZF013P01 , RZF020P01 , RZF030P01 , RZM002P02 , RZQ050P01 .

History: APT1003RBLL | MEE4292-G | SVF840MJ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.