RYM002N05 Todos los transistores

 

RYM002N05 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RYM002N05

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm

Encapsulados: VMT3

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RYM002N05 datasheet

 ..1. Size:316K  rohm
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RYM002N05

0.9V Drive Nch MOSFET RYM002N05 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET VMT3 Features 1) High speed switing. 2) Small package(VMT3). 3) Ultra low voltage drive(0.9V drive). Abbreviated symbol QJ Application Switching Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code T2L Basic ordering unit (pieces) 8000 RYM002N05

Otros transistores... RXH070N03 , RXH090N03 , RXH100N03 , RXH125N03 , RXQ040N03 , RXR035N03 , RYC002N05 , RYE002N05 , IRFB4110 , RYU002N05 , RZE002P02 , RZF013P01 , RZF020P01 , RZF030P01 , RZM002P02 , RZQ050P01 , RZR020P01 .

History: RZE002P02 | SVF840D | H4N65U

 

 

 

 

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