RYM002N05 - описание и поиск аналогов

 

RYM002N05. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RYM002N05

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: VMT3

Аналог (замена) для RYM002N05

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RYM002N05 даташит

 ..1. Size:316K  rohm
 rym002n05.pdf pdf_icon

RYM002N05

0.9V Drive Nch MOSFET RYM002N05 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET VMT3 Features 1) High speed switing. 2) Small package(VMT3). 3) Ultra low voltage drive(0.9V drive). Abbreviated symbol QJ Application Switching Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code T2L Basic ordering unit (pieces) 8000 RYM002N05

Другие MOSFET... RXH070N03 , RXH090N03 , RXH100N03 , RXH125N03 , RXQ040N03 , RXR035N03 , RYC002N05 , RYE002N05 , IRFB4110 , RYU002N05 , RZE002P02 , RZF013P01 , RZF020P01 , RZF030P01 , RZM002P02 , RZQ050P01 , RZR020P01 .

History: CRST040N10N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.