Справочник MOSFET. RYM002N05

 

RYM002N05 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RYM002N05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: VMT3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RYM002N05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:316K  rohm
 rym002n05.pdf pdf_icon

RYM002N05

0.9V Drive Nch MOSFETRYM002N05 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETVMT3Features1) High speed switing.2) Small package(VMT3).3) Ultra low voltage drive(0.9V drive).Abbreviated symbol : QJ ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode T2LBasic ordering unit (pieces) 8000RYM002N05

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HGB014N08A | STT6603 | 10N65Z

 

 
Back to Top

 


 
.