RYU002N05 Todos los transistores

 

RYU002N05 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RYU002N05

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm

Encapsulados: UMT3 SC70 SOT323

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RYU002N05 datasheet

 ..1. Size:963K  rohm
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RYU002N05

Data Sheet 0.9V Drive Nch MOSFET RYU002N05 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET Features 1) High speed switing. (2) (1) 2) Small package(UMT3). 3)Ultra low voltage drive(0.9V drive). Abbreviated symbol QJ Application Switching Packaging specifications Inner circuit (3) Package Taping Type Code T306 Basic ordering unit (pieces) 300

 0.1. Size:844K  cn vbsemi
 ryu002n05t306.pdf pdf_icon

RYU002N05

RYU002N05T306 www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (mA) Definition 2 at VGS = 10 V 60 300 Low On-Resistance 2 Low Threshold 2 V (typ.) Low Input Capacitance 25 pF Fast Switching Speed 25 ns SOT-323 Low Input and Output Leakage SC-70 (3-LEADS) TrenchF

Otros transistores... RXH090N03 , RXH100N03 , RXH125N03 , RXQ040N03 , RXR035N03 , RYC002N05 , RYE002N05 , RYM002N05 , IRF640N , RZE002P02 , RZF013P01 , RZF020P01 , RZF030P01 , RZM002P02 , RZQ050P01 , RZR020P01 , RZR025P01 .

History: IPD65R400CE | RW1E015RP | AP2N050H | AOTF4126 | WSR7N65F | APT10035B2FLL

 

 

 

 

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