Справочник MOSFET. RYU002N05

 

RYU002N05 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RYU002N05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.8 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.2 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 8 ns
   Выходная емкость (Cd): 6 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.6 Ohm
   Тип корпуса: UMT3 SC70 SOT323

 Аналог (замена) для RYU002N05

 

 

RYU002N05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:963K  rohm
 ryu002n05.pdf

RYU002N05 RYU002N05

Data Sheet0.9V Drive Nch MOSFETRYU002N05 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETFeatures1) High speed switing.(2) (1)2) Small package(UMT3).3)Ultra low voltage drive(0.9V drive).Abbreviated symbol : QJ ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode T306Basic ordering unit (pieces) 300

 0.1. Size:844K  cn vbsemi
 ryu002n05t306.pdf

RYU002N05 RYU002N05

RYU002N05T306www.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (mA)Definition2 at VGS = 10 V60 300 Low On-Resistance: 2 Low Threshold: 2 V (typ.) Low Input Capacitance: 25 pF Fast Switching Speed: 25 nsSOT-323 Low Input and Output LeakageSC-70 (3-LEADS) TrenchF

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top