Справочник MOSFET. RYU002N05

 

RYU002N05 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RYU002N05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: UMT3 SC70 SOT323
 

 Аналог (замена) для RYU002N05

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RYU002N05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:963K  rohm
 ryu002n05.pdf pdf_icon

RYU002N05

Data Sheet0.9V Drive Nch MOSFETRYU002N05 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETFeatures1) High speed switing.(2) (1)2) Small package(UMT3).3)Ultra low voltage drive(0.9V drive).Abbreviated symbol : QJ ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode T306Basic ordering unit (pieces) 300

 0.1. Size:844K  cn vbsemi
 ryu002n05t306.pdf pdf_icon

RYU002N05

RYU002N05T306www.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (mA)Definition2 at VGS = 10 V60 300 Low On-Resistance: 2 Low Threshold: 2 V (typ.) Low Input Capacitance: 25 pF Fast Switching Speed: 25 nsSOT-323 Low Input and Output LeakageSC-70 (3-LEADS) TrenchF

Другие MOSFET... RXH090N03 , RXH100N03 , RXH125N03 , RXQ040N03 , RXR035N03 , RYC002N05 , RYE002N05 , RYM002N05 , IRF630 , RZE002P02 , RZF013P01 , RZF020P01 , RZF030P01 , RZM002P02 , RZQ050P01 , RZR020P01 , RZR025P01 .

History: SVS70R600SE3 | CRSS035N10N | KI2307BDS | AON4703 | FP3W90 | ZXM62P02E6 | HUFA76419P3

 

 
Back to Top

 


 
.