RZE002P02 Todos los transistores

 

RZE002P02 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RZE002P02

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: EMT3

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RZE002P02 datasheet

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RZE002P02

1.2V Drive Pch MOSFET RZE002P02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET EMT3 1.6 0.7 Features 0.55 0.3 1) High speed switching. ( ) 3 2) Small package (EMT3). 3) 1.2V drive. ( ) ( ) 2 1 0.2 0.2 0.15 0.5 0.5 1.0 Applications (1)Source Switching (2)Gate (3)Drain Abbreviated symbol YK Package specifications Inner circuit Package Taping (3

 0.1. Size:218K  rohm
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RZE002P02

1.2V Drive Pch MOSFET RZE002P02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET EMT3 1.6 0.7 Features 0.55 0.3 1) High speed switching. ( ) 3 2) Small package (EMT3). 3) 1.2V drive. ( ) ( ) 2 1 0.2 0.2 0.15 0.5 0.5 1.0 Applications (1)Source Switching (2)Gate (3)Drain Abbreviated symbol YK Package specifications Inner circuit Package Taping (3

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