RZE002P02 Todos los transistores

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RZE002P02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RZE002P02

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.15 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 4 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 10 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.8 Ohm

Empaquetado / Estuche: EMT3

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RZE002P02 Datasheet (PDF)

1.1. rze002p02.pdf Size:219K _rohm

RZE002P02
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1.2V Drive Pch MOSFET RZE002P02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET EMT3 1.6 0.7 Features 0.55 0.3 1) High speed switching. ( ) 3 2) Small package (EMT3). 3) 1.2V drive. ( ) ( ) 2 1 0.2 0.2 0.15 0.5 0.5 1.0 Applications (1)Source Switching (2)Gate (3)Drain Abbreviated symbol : YK Package specifications Inner circuit Package Taping (3)

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