RZE002P02 - описание и поиск аналогов

 

RZE002P02. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RZE002P02

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: EMT3

Аналог (замена) для RZE002P02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RZE002P02 даташит

 ..1. Size:219K  rohm
 rze002p02.pdf pdf_icon

RZE002P02

1.2V Drive Pch MOSFET RZE002P02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET EMT3 1.6 0.7 Features 0.55 0.3 1) High speed switching. ( ) 3 2) Small package (EMT3). 3) 1.2V drive. ( ) ( ) 2 1 0.2 0.2 0.15 0.5 0.5 1.0 Applications (1)Source Switching (2)Gate (3)Drain Abbreviated symbol YK Package specifications Inner circuit Package Taping (3

 0.1. Size:218K  rohm
 rze002p02tl.pdf pdf_icon

RZE002P02

1.2V Drive Pch MOSFET RZE002P02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET EMT3 1.6 0.7 Features 0.55 0.3 1) High speed switching. ( ) 3 2) Small package (EMT3). 3) 1.2V drive. ( ) ( ) 2 1 0.2 0.2 0.15 0.5 0.5 1.0 Applications (1)Source Switching (2)Gate (3)Drain Abbreviated symbol YK Package specifications Inner circuit Package Taping (3

Другие MOSFET... RXH100N03 , RXH125N03 , RXQ040N03 , RXR035N03 , RYC002N05 , RYE002N05 , RYM002N05 , RYU002N05 , IRFP260N , RZF013P01 , RZF020P01 , RZF030P01 , RZM002P02 , RZQ050P01 , RZR020P01 , RZR025P01 , RZR040P01 .

History: CRST045N10N | MEE2348-G | SMG2328NE

 

 

 

 

↑ Back to Top
.