RZF013P01 Todos los transistores

 

RZF013P01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RZF013P01
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TUMT3
     - Selección de transistores por parámetros

 

RZF013P01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  rohm
 rzf013p01.pdf pdf_icon

RZF013P01

1.5V Drive Pch MOSFET RZF013P01 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) (1) Gate(2) SourceAbbreviated symbol : XC(3) Drain Applications Equivalent circuit Switching (3) Packaging specifications 2(1)Package TapingType Code TL1Basic orderi

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History: NCE65TF099F | HUFA76423S3ST | P06P03LDG

 

 
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