RZF013P01 Todos los transistores

 

RZF013P01 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RZF013P01

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: TUMT3

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RZF013P01 datasheet

 ..1. Size:215K  rohm
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RZF013P01

1.5V Drive Pch MOSFET RZF013P01 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) (1) Gate (2) Source Abbreviated symbol XC (3) Drain Applications Equivalent circuit Switching (3) Packaging specifications 2 (1) Package Taping Type Code TL 1 Basic orderi

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History: GC11N65T | AP2N050H | RW1E015RP | WSR7N65F | AOTF4126 | N6005D

 

 

 

 

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