Справочник MOSFET. RZF013P01

 

RZF013P01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RZF013P01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TUMT3
 

 Аналог (замена) для RZF013P01

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RZF013P01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  rohm
 rzf013p01.pdf pdf_icon

RZF013P01

1.5V Drive Pch MOSFET RZF013P01 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) (1) Gate(2) SourceAbbreviated symbol : XC(3) Drain Applications Equivalent circuit Switching (3) Packaging specifications 2(1)Package TapingType Code TL1Basic orderi

Другие MOSFET... RXH125N03 , RXQ040N03 , RXR035N03 , RYC002N05 , RYE002N05 , RYM002N05 , RYU002N05 , RZE002P02 , IRF3710 , RZF020P01 , RZF030P01 , RZM002P02 , RZQ050P01 , RZR020P01 , RZR025P01 , RZR040P01 , ZDS020N60 .

History: RSJ650N10 | FQB12P20TM | SI2327DS | 2SK1949S | AM4492N | IRHMS597Z60 | IPD180N10N3G

 

 
Back to Top

 


 
.