Справочник MOSFET. RZF013P01

 

RZF013P01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RZF013P01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TUMT3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RZF013P01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  rohm
 rzf013p01.pdf pdf_icon

RZF013P01

1.5V Drive Pch MOSFET RZF013P01 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT3 Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) (1) Gate(2) SourceAbbreviated symbol : XC(3) Drain Applications Equivalent circuit Switching (3) Packaging specifications 2(1)Package TapingType Code TL1Basic orderi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AOT66811L | AP4604IN | 2SK1471 | IRL8113LPBF | 2SK1637 | IRLSZ34A | STD14NM50N

 

 
Back to Top

 


 
.