RZF030P01 Todos los transistores

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RZF030P01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RZF030P01

Código: YD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.8 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 12 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 40 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 210 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.039 Ohm

Empaquetado / Estuche: TUMT3

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RZF030P01 Datasheet (PDF)

1.1. rzf030p01.pdf Size:247K _rohm

RZF030P01
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1.5V Drive Pch MOSFET RZF030P01 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon P-channel TUMT3 MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) (1) Gate (2) Source Abbreviated symbol : YD (3) Drain Applications Switching Packaging specifications Equivalent circuit Package Taping (3) Type Code TL Basic ordering unit (pieces)

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