RZF030P01 Todos los transistores

 

RZF030P01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RZF030P01
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
   Paquete / Cubierta: TUMT3
 

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RZF030P01 Datasheet (PDF)

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RZF030P01

1.5V Drive Pch MOSFET RZF030P01 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon P-channel TUMT3MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) (1) Gate(2) SourceAbbreviated symbol : YD(3) Drain Applications Switching Packaging specifications Equivalent circuit Package Taping(3)Type Code TLBasic ordering unit (piec

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History: IPC90N04S5L-3R3 | IXTQ120N20P | JCS7HN60S | IRFS644A | NDP7060 | FTK3N80D | CEP04N7G

 

 
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