RZF030P01 Todos los transistores

 

RZF030P01 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RZF030P01

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm

Encapsulados: TUMT3

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RZF030P01 datasheet

 ..1. Size:247K  rohm
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RZF030P01

1.5V Drive Pch MOSFET RZF030P01 Dimensions (Unit mm) Structure Silicon P-channel TUMT3 MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) (1) Gate (2) Source Abbreviated symbol YD (3) Drain Applications Switching Packaging specifications Equivalent circuit Package Taping (3) Type Code TL Basic ordering unit (piec

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History: 2SK3646-01SJ | IPD70R1K4CE | IPD60R600P7 | AP16T10GH | SIJ470DP | SMG2319P | BTS247Z

 

 

 

 

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