RZF030P01 - аналоги и даташиты транзистора

 

RZF030P01 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RZF030P01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
   Тип корпуса: TUMT3
 

 Аналог (замена) для RZF030P01

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RZF030P01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:247K  rohm
 rzf030p01.pdf pdf_icon

RZF030P01

1.5V Drive Pch MOSFET RZF030P01 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon P-channel TUMT3MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) (1) Gate(2) SourceAbbreviated symbol : YD(3) Drain Applications Switching Packaging specifications Equivalent circuit Package Taping(3)Type Code TLBasic ordering unit (piec

Другие MOSFET... RXR035N03 , RYC002N05 , RYE002N05 , RYM002N05 , RYU002N05 , RZE002P02 , RZF013P01 , RZF020P01 , IRF3710 , RZM002P02 , RZQ050P01 , RZR020P01 , RZR025P01 , RZR040P01 , ZDS020N60 , ZDX130N50 , KP214A9 .

History: SGO4606T | STLT19 | FDP150N10

 

 
Back to Top

 


 
.