RZF030P01 - описание и поиск аналогов

 

RZF030P01. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RZF030P01

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm

Тип корпуса: TUMT3

Аналог (замена) для RZF030P01

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RZF030P01 даташит

 ..1. Size:247K  rohm
 rzf030p01.pdf pdf_icon

RZF030P01

1.5V Drive Pch MOSFET RZF030P01 Dimensions (Unit mm) Structure Silicon P-channel TUMT3 MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) (1) Gate (2) Source Abbreviated symbol YD (3) Drain Applications Switching Packaging specifications Equivalent circuit Package Taping (3) Type Code TL Basic ordering unit (piec

Другие MOSFET... RXR035N03 , RYC002N05 , RYE002N05 , RYM002N05 , RYU002N05 , RZE002P02 , RZF013P01 , RZF020P01 , IRF3710 , RZM002P02 , RZQ050P01 , RZR020P01 , RZR025P01 , RZR040P01 , ZDS020N60 , ZDX130N50 , KP214A9 .

History: CRST040N10N | AOT25S65L | AOTF3N100

 

 

 

 

↑ Back to Top
.