RZF030P01 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RZF030P01
Маркировка: YD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.8 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 12 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 40 ns
Выходная емкость (Cd): 210 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.039 Ohm
Тип корпуса: TUMT3
RZF030P01 Datasheet (PDF)
..1. Size:247K rohm
rzf030p01.pdf
rzf030p01.pdf
1.5V Drive Pch MOSFET RZF030P01 Dimensions (Unit : mm) Structure Silicon P-channel TUMT3MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) (1) Gate(2) SourceAbbreviated symbol : YD(3) Drain Applications Switching Packaging specifications Equivalent circuit Package Taping(3)Type Code TLBasic ordering unit (piec
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
