RZM002P02 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RZM002P02
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
Encapsulados: VMT3
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RZM002P02 datasheet
rzm002p02.pdf
1.2V Drive Pch MOSFET RZM002P02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET VMT3 1.2 0.32 Features (3) 1) High Speed Switching. 2) Small package (VMT3). (1)(2) 0.22 0.13 3) Ultra Low Voltage drive. (1.2V drive) 0.4 0.4 0.5 0.8 (1)Gate (2)Source (3)Drain Abbreviated symbol YK Applications Inner circuit Switching (3) Packaging specifications
rzm001p02.pdf
RZM001P02 Pch -20V -100mA Small Signal MOSFET Datasheet lOutline VDSS -20V (3) VMT3 RDS(on) (Max.) 3.8W (1) ID -100mA (2) PD 150mW lFeatures lInner circuit 1) Low voltage drive(1.2V) makes this (1) Gate device ideal for partable equipment. (2) Source 2) Drive circuits can be simple. (3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode. *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIOD
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History: GC11N65K | DMP4013LFG
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