RZM002P02 Todos los transistores

 

RZM002P02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RZM002P02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: VMT3
 

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RZM002P02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  rohm
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RZM002P02

1.2V Drive Pch MOSFET RZM002P02 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET VMT31.20.32 Features (3)1) High Speed Switching. 2) Small package (VMT3). (1)(2)0.220.133) Ultra Low Voltage drive. (1.2V drive) 0.4 0.4 0.50.8(1)Gate(2)Source(3)Drain Abbreviated symbol : YK Applications Inner circuit Switching (3) Packaging specifications

 0.1. Size:1872K  cn tech public
 przm002p02t2l.pdf pdf_icon

RZM002P02

 9.1. Size:397K  rohm
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RZM002P02

RZM001P02 Pch -20V -100mA Small Signal MOSFET DatasheetlOutlineVDSS-20V(3) VMT3RDS(on) (Max.)3.8W(1) ID-100mA(2) PD150mWlFeatures lInner circuit1) Low voltage drive(1.2V) makes this(1) Gate device ideal for partable equipment.(2) Source 2) Drive circuits can be simple.(3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode.*1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIOD

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History: DMS2085LSD | H4N65D | NP88N075DUE | BL4N60A-U | BLS7G2325L-105 | 2SK1627 | FQA33N10

 

 
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