RZM002P02 - описание и поиск аналогов

 

RZM002P02. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RZM002P02

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: VMT3

Аналог (замена) для RZM002P02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RZM002P02 даташит

 ..1. Size:218K  rohm
 rzm002p02.pdf pdf_icon

RZM002P02

1.2V Drive Pch MOSFET RZM002P02 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET VMT3 1.2 0.32 Features (3) 1) High Speed Switching. 2) Small package (VMT3). (1)(2) 0.22 0.13 3) Ultra Low Voltage drive. (1.2V drive) 0.4 0.4 0.5 0.8 (1)Gate (2)Source (3)Drain Abbreviated symbol YK Applications Inner circuit Switching (3) Packaging specifications

 0.1. Size:1872K  cn tech public
 przm002p02t2l.pdf pdf_icon

RZM002P02

 9.1. Size:397K  rohm
 rzm001p02.pdf pdf_icon

RZM002P02

RZM001P02 Pch -20V -100mA Small Signal MOSFET Datasheet lOutline VDSS -20V (3) VMT3 RDS(on) (Max.) 3.8W (1) ID -100mA (2) PD 150mW lFeatures lInner circuit 1) Low voltage drive(1.2V) makes this (1) Gate device ideal for partable equipment. (2) Source 2) Drive circuits can be simple. (3) Drain 3) Built-in G-S Protection Diode. *1 BODY DIODE *2 ESD PROTECTION DIOD

Другие MOSFET... RYC002N05 , RYE002N05 , RYM002N05 , RYU002N05 , RZE002P02 , RZF013P01 , RZF020P01 , RZF030P01 , 10N60 , RZQ050P01 , RZR020P01 , RZR025P01 , RZR040P01 , ZDS020N60 , ZDX130N50 , KP214A9 , KP501A .

History: SUM110N05-06L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.