RZQ050P01 Todos los transistores

 

RZQ050P01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RZQ050P01
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT6
     - Selección de transistores por parámetros

 

RZQ050P01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  rohm
 rzq050p01.pdf pdf_icon

RZQ050P01

1.5V Drive Pch MOSFET RZQ050P01 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low on-resistance. 2) High power package. 0~0.1(1) (2) (3)3) Low voltage drive. (1.5V) 1pin mark0.160.4Each lead has same dimensionsAbbreviated symbol : YF Applications Switching Packaging specificati

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SVF7N60S | LSF60R240HT | 2SK2071-01L | ATM2N65TE | BUK9Y58-75B | 2SK1455 | HGP042N10A

 

 
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