RZQ050P01 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RZQ050P01
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
trⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
Тип корпуса: TSMT6
RZQ050P01 Datasheet (PDF)
rzq050p01.pdf
1.5V Drive Pch MOSFET RZQ050P01 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low on-resistance. 2) High power package. 0~0.1(1) (2) (3)3) Low voltage drive. (1.5V) 1pin mark0.160.4Each lead has same dimensionsAbbreviated symbol : YF Applications Switching Packaging specificati
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918