Справочник MOSFET. RZQ050P01

 

RZQ050P01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RZQ050P01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6
 

 Аналог (замена) для RZQ050P01

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RZQ050P01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  rohm
 rzq050p01.pdf pdf_icon

RZQ050P01

1.5V Drive Pch MOSFET RZQ050P01 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT61.0MAX2.90.851.9 Features 0.95 0.95 0.7(6) (5) (4)1) Low on-resistance. 2) High power package. 0~0.1(1) (2) (3)3) Low voltage drive. (1.5V) 1pin mark0.160.4Each lead has same dimensionsAbbreviated symbol : YF Applications Switching Packaging specificati

Другие MOSFET... RYE002N05 , RYM002N05 , RYU002N05 , RZE002P02 , RZF013P01 , RZF020P01 , RZF030P01 , RZM002P02 , IRFB4110 , RZR020P01 , RZR025P01 , RZR040P01 , ZDS020N60 , ZDX130N50 , KP214A9 , KP501A , KP501B .

History: LNTR4003NLT1G | IXTK120N25P | STW75N60M6 | SSM6P15FU | SWN7N65K2 | HGP059N08A | STD100N03LT4

 

 
Back to Top

 


 
.