RZQ050P01 - описание и поиск аналогов

 

RZQ050P01. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RZQ050P01

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: TSMT6

Аналог (замена) для RZQ050P01

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RZQ050P01 даташит

 ..1. Size:211K  rohm
 rzq050p01.pdf pdf_icon

RZQ050P01

1.5V Drive Pch MOSFET RZQ050P01 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT6 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 Features 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) 1) Low on-resistance. 2) High power package. 0 0.1 (1) (2) (3) 3) Low voltage drive. (1.5V) 1pin mark 0.16 0.4 Each lead has same dimensions Abbreviated symbol YF Applications Switching Packaging specificati

Другие MOSFET... RYE002N05 , RYM002N05 , RYU002N05 , RZE002P02 , RZF013P01 , RZF020P01 , RZF030P01 , RZM002P02 , AON6414A , RZR020P01 , RZR025P01 , RZR040P01 , ZDS020N60 , ZDX130N50 , KP214A9 , KP501A , KP501B .

History: ZDS020N60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.