RZR025P01 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RZR025P01
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.061 Ohm
Encapsulados: TSMT3
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RZR025P01 datasheet
rzr025p01.pdf
RZR025P01 Transistors 1.5V Drive Pch MOSFET RZR025P01 Dimensions (Unit mm) Features 1) Low On-resistance. TSMT3 1.0MAX 2) Built-in G-S Protection Diode. 2.9 0.85 3) Small and Surface Mount Package (TSMT3). 0.4 0.7 4) Low voltage drive (1.5V). (3) ( ) ( ) 1 2 0.95 0.95 Application 0.16 1.9 Switching (1) Gate Each lead has same dimensions (2) Source Abbrevi
rzr020p01.pdf
1.5V Drive Pch MOSFET RZR020P01 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT3 1.0MAX 2.9 0.85 0.4 0.7 (3) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) 2) Built-in G-S Protection Diode. 0.95 0.95 0.16 1.9 3) Small and Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimensions 4) Low voltage drive (1.5V). (2) Source Abbreviated symbol ZE
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History: AOTF2618L | FDB86366-F085
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