RZR025P01 - описание и поиск аналогов

 

RZR025P01. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RZR025P01

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.061 Ohm

Тип корпуса: TSMT3

Аналог (замена) для RZR025P01

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RZR025P01 даташит

 ..1. Size:191K  rohm
 rzr025p01.pdf pdf_icon

RZR025P01

RZR025P01 Transistors 1.5V Drive Pch MOSFET RZR025P01 Dimensions (Unit mm) Features 1) Low On-resistance. TSMT3 1.0MAX 2) Built-in G-S Protection Diode. 2.9 0.85 3) Small and Surface Mount Package (TSMT3). 0.4 0.7 4) Low voltage drive (1.5V). (3) ( ) ( ) 1 2 0.95 0.95 Application 0.16 1.9 Switching (1) Gate Each lead has same dimensions (2) Source Abbrevi

 9.1. Size:220K  rohm
 rzr020p01.pdf pdf_icon

RZR025P01

1.5V Drive Pch MOSFET RZR020P01 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT3 1.0MAX 2.9 0.85 0.4 0.7 (3) Features 1) Low on-resistance. (1) (2) 2) Built-in G-S Protection Diode. 0.95 0.95 0.16 1.9 3) Small and Surface Mount Package (TSMT3). (1) Gate Each lead has same dimensions 4) Low voltage drive (1.5V). (2) Source Abbreviated symbol ZE

Другие MOSFET... RYU002N05 , RZE002P02 , RZF013P01 , RZF020P01 , RZF030P01 , RZM002P02 , RZQ050P01 , RZR020P01 , 2N7000 , RZR040P01 , ZDS020N60 , ZDX130N50 , KP214A9 , KP501A , KP501B , KP501V , KP502A .

History: JMPL1050APD | PDS6904

 

 

 

 

↑ Back to Top
.