RZR040P01 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RZR040P01
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Encapsulados: TSMT3
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RZR040P01 datasheet
rzr040p01.pdf
1.5V Drive Pch MOSFET RZR040P01 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT3 1.0MAX 2.9 0.85 0.4 0.7 Features ( ) 3 1) Low on-resistance. 2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) ( ) ( ) 1 2 0.95 0.95 0.16 1.9 Applications (1) Gate Each lead has same dimensions Switching (2) Source Abbreviated symbol YE (3) Drain Packaging s
Otros transistores... RZE002P02 , RZF013P01 , RZF020P01 , RZF030P01 , RZM002P02 , RZQ050P01 , RZR020P01 , RZR025P01 , P55NF06 , ZDS020N60 , ZDX130N50 , KP214A9 , KP501A , KP501B , KP501V , KP502A , KP504A .
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