RZR040P01 Todos los transistores

 

RZR040P01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RZR040P01
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT3
 

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RZR040P01 Datasheet (PDF)

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RZR040P01

1.5V Drive Pch MOSFET RZR040P01 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT31.0MAX2.90.850.4 0.7 Features ( )31) Low on-resistance. 2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) ( ) ( )1 20.95 0.950.161.9 Applications (1) Gate Each lead has same dimensionsSwitching (2) SourceAbbreviated symbol : YE(3) Drain Packaging s

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History: HAT1026R | HGB082N10M | IXTK110N20L2 | BUK9675-100A | NP84N075NUE | SUM45N25-58 | HY1803C2

 

 
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