RZR040P01 Todos los transistores

 

RZR040P01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RZR040P01
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT3
     - Selección de transistores por parámetros

 

RZR040P01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  rohm
 rzr040p01.pdf pdf_icon

RZR040P01

1.5V Drive Pch MOSFET RZR040P01 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT31.0MAX2.90.850.4 0.7 Features ( )31) Low on-resistance. 2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) ( ) ( )1 20.95 0.950.161.9 Applications (1) Gate Each lead has same dimensionsSwitching (2) SourceAbbreviated symbol : YE(3) Drain Packaging s

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IXFN40N90P | SM7580NSF | 2SK2542 | 2300 | WSD80100DN56 | DH100P25E | WFF2N60B

 

 
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