Справочник MOSFET. RZR040P01

 

RZR040P01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RZR040P01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TSMT3
 

 Аналог (замена) для RZR040P01

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RZR040P01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  rohm
 rzr040p01.pdf pdf_icon

RZR040P01

1.5V Drive Pch MOSFET RZR040P01 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT31.0MAX2.90.850.4 0.7 Features ( )31) Low on-resistance. 2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) ( ) ( )1 20.95 0.950.161.9 Applications (1) Gate Each lead has same dimensionsSwitching (2) SourceAbbreviated symbol : YE(3) Drain Packaging s

Другие MOSFET... RZE002P02 , RZF013P01 , RZF020P01 , RZF030P01 , RZM002P02 , RZQ050P01 , RZR020P01 , RZR025P01 , IRFB4115 , ZDS020N60 , ZDX130N50 , KP214A9 , KP501A , KP501B , KP501V , KP502A , KP504A .

History: PK5G6EA | FDS6680S | STN4260 | HMS60N10D | ZXM64N035L3 | IRF7478PBF-1

 

 
Back to Top

 


 
.