RZR040P01 - описание и поиск аналогов

 

RZR040P01. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RZR040P01

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TSMT3

Аналог (замена) для RZR040P01

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RZR040P01 даташит

 ..1. Size:217K  rohm
 rzr040p01.pdf pdf_icon

RZR040P01

1.5V Drive Pch MOSFET RZR040P01 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT3 1.0MAX 2.9 0.85 0.4 0.7 Features ( ) 3 1) Low on-resistance. 2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) ( ) ( ) 1 2 0.95 0.95 0.16 1.9 Applications (1) Gate Each lead has same dimensions Switching (2) Source Abbreviated symbol YE (3) Drain Packaging s

Другие MOSFET... RZE002P02 , RZF013P01 , RZF020P01 , RZF030P01 , RZM002P02 , RZQ050P01 , RZR020P01 , RZR025P01 , P55NF06 , ZDS020N60 , ZDX130N50 , KP214A9 , KP501A , KP501B , KP501V , KP502A , KP504A .

History: SUM110P06-07L | ME60N03AS | BSL211SP | ME60P06T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.