Справочник MOSFET. RZR040P01

 

RZR040P01 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RZR040P01
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TSMT3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RZR040P01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  rohm
 rzr040p01.pdf pdf_icon

RZR040P01

1.5V Drive Pch MOSFET RZR040P01 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT31.0MAX2.90.850.4 0.7 Features ( )31) Low on-resistance. 2) High power package. 3) Low voltage drive. (1.5V) ( ) ( )1 20.95 0.950.161.9 Applications (1) Gate Each lead has same dimensionsSwitching (2) SourceAbbreviated symbol : YE(3) Drain Packaging s

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2SK4196LS | BF245A | NCEP040N85D | FQI15P12TU | WMB115N15HG4 | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.