ZDS020N60 Todos los transistores

 

ZDS020N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ZDS020N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.63 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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ZDS020N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1149K  rohm
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ZDS020N60

Data Sheet10V Drive Nch MOSFETZDS020N60 Structure Dimensions (Unit : mm)SOP8Silicon N-channel MOSFET(8) (5)Features1) Low on-resistance.2) High-speed switching.(1) (4)3) Wide SOA. ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping (8) (7) (6) (5)TypeCode TBBasic ordering unit (pieces) 2500ZDS020N60 (1) Source

Otros transistores... RZF013P01 , RZF020P01 , RZF030P01 , RZM002P02 , RZQ050P01 , RZR020P01 , RZR025P01 , RZR040P01 , 2SK3878 , ZDX130N50 , KP214A9 , KP501A , KP501B , KP501V , KP502A , KP504A , KP504V .

History: SST202 | NCE85H21TC

 

 
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