ZDS020N60 Todos los transistores

 

ZDS020N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZDS020N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.63 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.4 Ohm

Encapsulados: SOP8

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ZDS020N60 datasheet

 ..1. Size:1149K  rohm
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ZDS020N60

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET ZDS020N60 Structure Dimensions (Unit mm) SOP8 Silicon N-channel MOSFET (8) (5) Features 1) Low on-resistance. 2) High-speed switching. (1) (4) 3) Wide SOA. Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5) Type Code TB Basic ordering unit (pieces) 2500 ZDS020N60 (1) Source

Otros transistores... RZF013P01 , RZF020P01 , RZF030P01 , RZM002P02 , RZQ050P01 , RZR020P01 , RZR025P01 , RZR040P01 , 8205A , ZDX130N50 , KP214A9 , KP501A , KP501B , KP501V , KP502A , KP504A , KP504V .

History: KP501A | MIC94030BM4TR | HM18P10K | SIR166DP | TPC6104

 

 

 

 

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