ZDS020N60 - описание и поиск аналогов

 

ZDS020N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ZDS020N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.63 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.4 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для ZDS020N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZDS020N60 даташит

 ..1. Size:1149K  rohm
 zds020n60.pdf pdf_icon

ZDS020N60

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET ZDS020N60 Structure Dimensions (Unit mm) SOP8 Silicon N-channel MOSFET (8) (5) Features 1) Low on-resistance. 2) High-speed switching. (1) (4) 3) Wide SOA. Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5) Type Code TB Basic ordering unit (pieces) 2500 ZDS020N60 (1) Source

Другие MOSFET... RZF013P01 , RZF020P01 , RZF030P01 , RZM002P02 , RZQ050P01 , RZR020P01 , RZR025P01 , RZR040P01 , 8205A , ZDX130N50 , KP214A9 , KP501A , KP501B , KP501V , KP502A , KP504A , KP504V .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.