Справочник MOSFET. ZDS020N60

 

ZDS020N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ZDS020N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.63 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.4 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для ZDS020N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZDS020N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1149K  rohm
 zds020n60.pdf pdf_icon

ZDS020N60

Data Sheet10V Drive Nch MOSFETZDS020N60 Structure Dimensions (Unit : mm)SOP8Silicon N-channel MOSFET(8) (5)Features1) Low on-resistance.2) High-speed switching.(1) (4)3) Wide SOA. ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping (8) (7) (6) (5)TypeCode TBBasic ordering unit (pieces) 2500ZDS020N60 (1) Source

Другие MOSFET... RZF013P01 , RZF020P01 , RZF030P01 , RZM002P02 , RZQ050P01 , RZR020P01 , RZR025P01 , RZR040P01 , 2SK3878 , ZDX130N50 , KP214A9 , KP501A , KP501B , KP501V , KP502A , KP504A , KP504V .

History: SIHF9Z24L | IPD60R210CFD7 | 2SK704

 

 
Back to Top

 


 
.