ZDS020N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ZDS020N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.63 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.4 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для ZDS020N60
ZDS020N60 Datasheet (PDF)
zds020n60.pdf

Data Sheet10V Drive Nch MOSFETZDS020N60 Structure Dimensions (Unit : mm)SOP8Silicon N-channel MOSFET(8) (5)Features1) Low on-resistance.2) High-speed switching.(1) (4)3) Wide SOA. ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping (8) (7) (6) (5)TypeCode TBBasic ordering unit (pieces) 2500ZDS020N60 (1) Source
Другие MOSFET... RZF013P01 , RZF020P01 , RZF030P01 , RZM002P02 , RZQ050P01 , RZR020P01 , RZR025P01 , RZR040P01 , IRF630 , ZDX130N50 , KP214A9 , KP501A , KP501B , KP501V , KP502A , KP504A , KP504V .
History: 2SK1494-Z | FDB5690 | FDN8601 | BSP75G | JMSL0406AGQ | HM2310B | 2SK1399
History: 2SK1494-Z | FDB5690 | FDN8601 | BSP75G | JMSL0406AGQ | HM2310B | 2SK1399



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor