ZDX130N50 Todos los transistores

 

ZDX130N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZDX130N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO220FM

 Búsqueda de reemplazo de ZDX130N50 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

ZDX130N50 datasheet

 ..1. Size:1207K  rohm
 zdx130n50.pdf pdf_icon

ZDX130N50

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET ZDX130N50 Structure Dimensions (Unit mm) TO-220FM TO-220FM Silicon N-channel MOSFET 10.0 3.2 4.5 10.0 3.2 4.5 2.8 2.8 Features 1) Low on-resistance. 1.2 1.2 1.3 1.3 2) High-speed switching. 3) Gate-source voltage 0.8 0.8 2.54 2.54 0.75 2.6 2.54 2.54 0.75 2.6 VGSS guaranteed to be 30V . (1) (2) (3) (1) (2) (3) 4) Hig

Otros transistores... RZF020P01 , RZF030P01 , RZM002P02 , RZQ050P01 , RZR020P01 , RZR025P01 , RZR040P01 , ZDS020N60 , 7N65 , KP214A9 , KP501A , KP501B , KP501V , KP502A , KP504A , KP504V , KP504G .

History: H7N60F | 2SK2223-01R | FDB86569-F085 | DMP3105LVT | C2M065W200

 

 

 

 

↑ Back to Top
.