ZDX130N50 Todos los transistores

 

ZDX130N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ZDX130N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FM
 

 Búsqueda de reemplazo de ZDX130N50 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ZDX130N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1207K  rohm
 zdx130n50.pdf pdf_icon

ZDX130N50

Data Sheet10V Drive Nch MOSFETZDX130N50 Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMTO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.510.0 3.2 4.52.82.8Features1) Low on-resistance. 1.21.21.31.32) High-speed switching.3) Gate-source voltage 0.80.82.54 2.54 0.75 2.62.54 2.54 0.75 2.6VGSS guaranteed to be 30V .(1) (2) (3)(1) (2) (3)4) Hig

Otros transistores... RZF020P01 , RZF030P01 , RZM002P02 , RZQ050P01 , RZR020P01 , RZR025P01 , RZR040P01 , ZDS020N60 , STP75NF75 , KP214A9 , KP501A , KP501B , KP501V , KP502A , KP504A , KP504V , KP504G .

History: IXKN75N60C | SPW11N60S5 | 2SK3161

 

 
Back to Top

 


 
.