ZDX130N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ZDX130N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 11.5 nC
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 200 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO220FM
ZDX130N50 Datasheet (PDF)
..1. Size:1207K rohm
zdx130n50.pdf
zdx130n50.pdf
Data Sheet10V Drive Nch MOSFETZDX130N50 Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMTO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.510.0 3.2 4.52.82.8Features1) Low on-resistance. 1.21.21.31.32) High-speed switching.3) Gate-source voltage 0.80.82.54 2.54 0.75 2.62.54 2.54 0.75 2.6VGSS guaranteed to be 30V .(1) (2) (3)(1) (2) (3)4) Hig
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
