ZDX130N50 - описание и поиск аналогов

 

ZDX130N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ZDX130N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO220FM

Аналог (замена) для ZDX130N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZDX130N50 даташит

 ..1. Size:1207K  rohm
 zdx130n50.pdf pdf_icon

ZDX130N50

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET ZDX130N50 Structure Dimensions (Unit mm) TO-220FM TO-220FM Silicon N-channel MOSFET 10.0 3.2 4.5 10.0 3.2 4.5 2.8 2.8 Features 1) Low on-resistance. 1.2 1.2 1.3 1.3 2) High-speed switching. 3) Gate-source voltage 0.8 0.8 2.54 2.54 0.75 2.6 2.54 2.54 0.75 2.6 VGSS guaranteed to be 30V . (1) (2) (3) (1) (2) (3) 4) Hig

Другие MOSFET... RZF020P01 , RZF030P01 , RZM002P02 , RZQ050P01 , RZR020P01 , RZR025P01 , RZR040P01 , ZDS020N60 , 7N65 , KP214A9 , KP501A , KP501B , KP501V , KP502A , KP504A , KP504V , KP504G .

History: AOTF3N100

 

 

 

 

↑ Back to Top
.