Справочник MOSFET. ZDX130N50

 

ZDX130N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ZDX130N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220FM
 

 Аналог (замена) для ZDX130N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZDX130N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1207K  rohm
 zdx130n50.pdf pdf_icon

ZDX130N50

Data Sheet10V Drive Nch MOSFETZDX130N50 Structure Dimensions (Unit : mm)TO-220FMTO-220FMSilicon N-channel MOSFET10.0 3.2 4.510.0 3.2 4.52.82.8Features1) Low on-resistance. 1.21.21.31.32) High-speed switching.3) Gate-source voltage 0.80.82.54 2.54 0.75 2.62.54 2.54 0.75 2.6VGSS guaranteed to be 30V .(1) (2) (3)(1) (2) (3)4) Hig

Другие MOSFET... RZF020P01 , RZF030P01 , RZM002P02 , RZQ050P01 , RZR020P01 , RZR025P01 , RZR040P01 , ZDS020N60 , STP75NF75 , KP214A9 , KP501A , KP501B , KP501V , KP502A , KP504A , KP504V , KP504G .

History: IPB034N06L3G | IPD082N10N3G | AM40P10-200P | AM7153P | CS10N65FA9HD | VBI1101M | IXTA3N60P

 

 
Back to Top

 


 
.