PT8205 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PT8205  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm

Encapsulados: SOT236

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PT8205 datasheet

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PT8205

PT8205 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.4A 46m RDS(ON), Vgs@4.V, Ids@4.3A 30m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Ideal for Li ion battery pack applications Package Dimensions SOT-163 Millimeter Millimeter REF. REF.

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PT8205

PT8205 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@ 2.5V, Ids@ 5.2A = 24m RDS(ON), Vgs @ 4.5V, Ids @ 6A = 20m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Ideal for Li ion battery pack applications Package Dimensions SOT-163 (SOT-23-6L) Millimeter Millimet

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PT8205

PT8205A 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@ 2.5V, Ids@ 5.2A = 38m RDS(ON), Vgs@ 4.5V, Ids@ 6A = 28m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Ideal for Li ion battery pack applications 1 8 D1 D2 2 7 S1 S2 3 6 S1 S2 4 5 G1 G2 TSSOP-8 Mi

Otros transistores... 2P7209A, 2P7234A, 2P7234A-5, SI2300, SI2302, SI2312, XP151A13COMR, AO3400, IRF2807, PT8205A, PT8822, PT4410, PT9926, SI2301, SI2305, XP152A12COMR, AO3401