PT8205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PT8205

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.4 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 4.8 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 155 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.046 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT236

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PT8205 Datasheet (PDF)

1.1. pt8205a.pdf Size:2146K _htsemi

PT8205A 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@ 2.5V, Ids@ 5.2A = 38m? RDS(ON), Vgs@ 4.5V, Ids@ 6A = 28m? Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Ideal for Li ion battery pack applications 1 8 D1 D2 2 7 S1 S2 3 6 S1 S2 4 5 G1 G2 TSSOP-8 Millimete

1.2. pt8205.pdf Size:2427K _htsemi

PT8205 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.4A 46m? RDS(ON), Vgs@4.V, Ids@4.3A ? 30m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Ideal for Li ion battery pack applications Package Dimensions SOT-163 Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Ma

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Liste

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