PT8205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PT8205
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT236
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PT8205
PT8205 Datasheet (PDF)
pt8205.pdf
PT820520V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.4A 46m RDS(ON), Vgs@4.V, Ids@4.3A 30mFeatures Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Ideal for Li ion battery pack applications Package Dimensions SOT-163Millimeter Millimeter REF. REF.
pt8205.pdf
PT8205 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@ 2.5V, Ids@ 5.2A = 24mRDS(ON), Vgs @ 4.5V, Ids @ 6A = 20mFeatures Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Ideal for Li ion battery pack applications Package Dimensions SOT-163(SOT-23-6L)Millimeter Millimet
pt8205a.pdf
PT8205A20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@ 2.5V, Ids@ 5.2A = 38m RDS(ON), Vgs@ 4.5V, Ids@ 6A = 28m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Ideal for Li ion battery pack applications 1 8D1 D22 7S1S23 6S1 S24 5G1 G2TSSOP-8Mi
Otros transistores... 2P7209A , 2P7234A , 2P7234A-5 , SI2300 , SI2302 , SI2312 , XP151A13COMR , AO3400 , K2611 , PT8205A , PT8822 , PT4410 , PT9926 , SI2301 , SI2305 , XP152A12COMR , AO3401 .
History: HY3215PS
History: HY3215PS
Liste
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