PT8205. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PT8205
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
Тип корпуса: SOT236
Аналог (замена) для PT8205
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PT8205 даташит
pt8205.pdf
PT8205 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.4A 46m RDS(ON), Vgs@4.V, Ids@4.3A 30m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Ideal for Li ion battery pack applications Package Dimensions SOT-163 Millimeter Millimeter REF. REF.
pt8205.pdf
PT8205 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@ 2.5V, Ids@ 5.2A = 24m RDS(ON), Vgs @ 4.5V, Ids @ 6A = 20m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Ideal for Li ion battery pack applications Package Dimensions SOT-163 (SOT-23-6L) Millimeter Millimet
pt8205a.pdf
PT8205A 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@ 2.5V, Ids@ 5.2A = 38m RDS(ON), Vgs@ 4.5V, Ids@ 6A = 28m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Ideal for Li ion battery pack applications 1 8 D1 D2 2 7 S1 S2 3 6 S1 S2 4 5 G1 G2 TSSOP-8 Mi
Другие MOSFET... 2P7209A , 2P7234A , 2P7234A-5 , SI2300 , SI2302 , SI2312 , XP151A13COMR , AO3400 , 10N65 , PT8205A , PT8822 , PT4410 , PT9926 , SI2301 , SI2305 , XP152A12COMR , AO3401 .
History: AP10TN028YT | SMG2319P | IPD60R600P7 | BTS247Z | SIJ470DP | 2SK3646-01SJ | RZF030P01
History: AP10TN028YT | SMG2319P | IPD60R600P7 | BTS247Z | SIJ470DP | 2SK3646-01SJ | RZF030P01
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560



