PT8205 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PT8205
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
trⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
Тип корпуса: SOT236
PT8205 Datasheet (PDF)
pt8205.pdf
PT820520V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.4A 46m RDS(ON), Vgs@4.V, Ids@4.3A 30mFeatures Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Ideal for Li ion battery pack applications Package Dimensions SOT-163Millimeter Millimeter REF. REF.
pt8205.pdf
PT8205 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@ 2.5V, Ids@ 5.2A = 24mRDS(ON), Vgs @ 4.5V, Ids @ 6A = 20mFeatures Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Ideal for Li ion battery pack applications Package Dimensions SOT-163(SOT-23-6L)Millimeter Millimet
pt8205a.pdf
PT8205A20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@ 2.5V, Ids@ 5.2A = 38m RDS(ON), Vgs@ 4.5V, Ids@ 6A = 28m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Ideal for Li ion battery pack applications 1 8D1 D22 7S1S23 6S1 S24 5G1 G2TSSOP-8Mi
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918