PT8822 Todos los transistores

 

PT8822 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PT8822

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 6 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 126 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.024 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSSOP8

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PT8822 Datasheet (PDF)

1.1. pt8822.pdf Size:2155K _htsemi

PT8822
PT8822

PT8822 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2A = 50m? RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.5A = 32m? RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.6A = 24m? Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Ideal for Li ion battery pack applications Package Dimensions 1 8 D1 D2 2 7 S1 S2 3 6 S1 S2 4 5 G1 G2 Millimet

Otros transistores... NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , IRF740 , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 .

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