PT8822 Todos los transistores

 

PT8822 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PT8822
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 126 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

PT8822 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2155K  htsemi
 pt8822.pdf pdf_icon

PT8822

PT882220V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETVDS= 20V RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2A = 50m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.5A = 32m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.6A = 24m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Ideal for Li ion battery pack applications Package Dimensions 1 8D1 D2 2 7S1S23 6S1 S24 5G1 G2

Otros transistores... 2P7234A-5 , SI2300 , SI2302 , SI2312 , XP151A13COMR , AO3400 , PT8205 , PT8205A , 7N60 , PT4410 , PT9926 , SI2301 , SI2305 , XP152A12COMR , AO3401 , AO3407 , PT4435 .

History: IRF512 | 2N6967JANTXV | IRF644 | IRFP140 | IRFP2907Z | IRF3710L

 

 
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