PT8822 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PT8822  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 126 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: TSSOP8

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de PT8822 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PT8822 datasheet

 ..1. Size:2155K  htsemi
 pt8822.pdf pdf_icon

PT8822

PT8822 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2A = 50m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.5A = 32m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.6A = 24m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Ideal for Li ion battery pack applications Package Dimensions 1 8 D1 D2 2 7 S1 S2 3 6 S1 S2 4 5 G1 G2

Otros transistores... 2P7234A-5, SI2300, SI2302, SI2312, XP151A13COMR, AO3400, PT8205, PT8205A, RFP50N06, PT4410, PT9926, SI2301, SI2305, XP152A12COMR, AO3401, AO3407, PT4435