Справочник MOSFET. PT8822

 

PT8822 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: PT8822

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 6 ns

Выходная емкость (Cd): 126 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.024 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

Аналог (замена) для PT8822

 

 

PT8822 Datasheet (PDF)

1.1. pt8822.pdf Size:2155K _htsemi

PT8822
PT8822

PT8822 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2A = 50m? RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.5A = 32m? RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.6A = 24m? Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Ideal for Li ion battery pack applications Package Dimensions 1 8 D1 D2 2 7 S1 S2 3 6 S1 S2 4 5 G1 G2 Millimet

Другие MOSFET... NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , IRF740 , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 .

 

 

Back to Top

 


PT8822
  PT8822
  PT8822
  PT8822
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: NVJD4152P | NVGS5120P | NVGS4141N | NVGS4111P | NVGS3443 | NVGS3441 | NVGS3136P | NVGS3130N | NVF6P02 | NVF5P03 | NVF3055L108 | NVF3055-100 | NVF2955 | NVF2201N | NVE4153N |
 

 

 

 
Back to Top