Справочник MOSFET. PT8822

 

PT8822 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PT8822
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.19 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8

 Аналог (замена) для PT8822

 

 

PT8822 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2155K  htsemi
 pt8822.pdf

PT8822 PT8822

PT882220V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETVDS= 20V RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2A = 50m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.5A = 32m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.6A = 24m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Ideal for Li ion battery pack applications Package Dimensions 1 8D1 D2 2 7S1S23 6S1 S24 5G1 G2

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: PT8205

 

 
Back to Top