PT8822 - описание и поиск аналогов

 

PT8822. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PT8822

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

Аналог (замена) для PT8822

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PT8822 даташит

 ..1. Size:2155K  htsemi
 pt8822.pdf pdf_icon

PT8822

PT8822 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2A = 50m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.5A = 32m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.6A = 24m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Ideal for Li ion battery pack applications Package Dimensions 1 8 D1 D2 2 7 S1 S2 3 6 S1 S2 4 5 G1 G2

Другие MOSFET... 2P7234A-5 , SI2300 , SI2302 , SI2312 , XP151A13COMR , AO3400 , PT8205 , PT8205A , RFP50N06 , PT4410 , PT9926 , SI2301 , SI2305 , XP152A12COMR , AO3401 , AO3407 , PT4435 .

History: RZE002P02 | SVF840D | H4N65U

 

 

 

 

↑ Back to Top
.