Справочник MOSFET. PT8822

 

PT8822 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PT8822
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PT8822 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2155K  htsemi
 pt8822.pdf pdf_icon

PT8822

PT882220V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETVDS= 20V RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2A = 50m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.5A = 32m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.6A = 24m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Ideal for Li ion battery pack applications Package Dimensions 1 8D1 D2 2 7S1S23 6S1 S24 5G1 G2

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: N6006NZ | SQJ460AEP | IRFP331 | IRF6217 | 2SK56 | IRC8405 | 7N65KG-T2Q-T

 

 
Back to Top

 


 
.