PT8822 - аналоги и даташиты транзистора

 

PT8822 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PT8822
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
 

 Аналог (замена) для PT8822

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PT8822 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2155K  htsemi
 pt8822.pdf pdf_icon

PT8822

PT882220V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETVDS= 20V RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2A = 50m RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.5A = 32m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.6A = 24m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Ideal for Li ion battery pack applications Package Dimensions 1 8D1 D2 2 7S1S23 6S1 S24 5G1 G2

Другие MOSFET... 2P7234A-5 , SI2300 , SI2302 , SI2312 , XP151A13COMR , AO3400 , PT8205 , PT8205A , IRF2807 , PT4410 , PT9926 , SI2301 , SI2305 , XP152A12COMR , AO3401 , AO3407 , PT4435 .

History: SJMN380R65B | AFP8206 | SLF5N60C | NTTD4401FR2 | SQM18N33-160H | AP4800AGM | RU30P5D

 

 
Back to Top

 


 
.