PT4410 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PT4410
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de PT4410 MOSFET
PT4410 Datasheet (PDF)
pt4410.pdf
PT441030V N-Channel Enhancement Mode MOSFETVDS= 30V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@12A = 10.5m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@12A = 15m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Improved Shoot-Through FOM Package Dimensions D D D D8 7 6 51 2 3 4S S S GMillimeter Millimeter
Otros transistores... SI2300 , SI2302 , SI2312 , XP151A13COMR , AO3400 , PT8205 , PT8205A , PT8822 , 2N60 , PT9926 , SI2301 , SI2305 , XP152A12COMR , AO3401 , AO3407 , PT4435 , SM103 .
History: UPA2550T1H
History: UPA2550T1H
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM30P85D | AGM30P55D1 | AGM30P55D | AGM30P55A | AGM30P35S | AGM30P35M | AGM30P35D | AGM30P35AP | AGM30P25S | AGM30P25MBQ | AGM30P25MBP | AGM30P25M | AGM30P25D | AGM30P25AP | AGM30P20S | AGM12T08C
Popular searches
2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678

