PT4410 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PT4410
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 2.5 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 12 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 13 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 270 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0105 Ohm
Empaquetado / Estuche: SOP8
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PT4410 Datasheet (PDF)
1.1. pt4410.pdf 
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PT4410 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 30V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@12A = 10.5m? RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@12A = 15m? Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Improved Shoot-Through FOM Package Dimensions D D D D 8 7 6 5 1 2 3 4 S S S G Millimeter Millimeter REF.
Otros transistores... SI2300 , SI2302 , SI2312 , XP151A13COMR , AO3400 , PT8205 , PT8205A , PT8822 , IRFZ44A , PT9926 , SI2301 , SI2305 , XP152A12COMR , AO3401 , AO3407 , PT4435 , SM103 .
