PT4410 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PT4410

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 13 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 270 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0105 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOP8

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PT4410 Datasheet (PDF)

1.1. pt4410.pdf Size:1554K _htsemi

PT4410 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 30V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@12A = 10.5mΩ RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@12A = 15mΩ Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Improved Shoot-Through FOM Package Dimensions D D D D 8 7 6 5 1 2 3 4 S S S G Millimeter Millimeter

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Liste

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