PT4410 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PT4410  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PT4410

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PT4410 даташит

 ..1. Size:1554K  htsemi
 pt4410.pdf pdf_icon

PT4410

PT4410 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 30V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@12A = 10.5m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@12A = 15m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Improved Shoot-Through FOM Package Dimensions D D D D 8 7 6 5 1 2 3 4 S S S G Millimeter Millimeter

Другие IGBT... SI2300, SI2302, SI2312, XP151A13COMR, AO3400, PT8205, PT8205A, PT8822, STF13NM60N, PT9926, SI2301, SI2305, XP152A12COMR, AO3401, AO3407, PT4435, SM103