PT4410 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PT4410
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
Тип корпуса: SOP8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
PT4410 Datasheet (PDF)
pt4410.pdf

PT441030V N-Channel Enhancement Mode MOSFETVDS= 30V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@12A = 10.5m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@12A = 15m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Improved Shoot-Through FOM Package Dimensions D D D D8 7 6 51 2 3 4S S S GMillimeter Millimeter
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: HMS15N70K | VSE002N03MS-G | BSR92P | 2SK3430-ZJ | VB2355 | QM3002AS | R6535KNZ1
History: HMS15N70K | VSE002N03MS-G | BSR92P | 2SK3430-ZJ | VB2355 | QM3002AS | R6535KNZ1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678