PT4410 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PT4410
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для PT4410
PT4410 Datasheet (PDF)
pt4410.pdf

PT441030V N-Channel Enhancement Mode MOSFETVDS= 30V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@12A = 10.5m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@12A = 15m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Improved Shoot-Through FOM Package Dimensions D D D D8 7 6 51 2 3 4S S S GMillimeter Millimeter
Другие MOSFET... SI2300 , SI2302 , SI2312 , XP151A13COMR , AO3400 , PT8205 , PT8205A , PT8822 , IRFZ46N , PT9926 , SI2301 , SI2305 , XP152A12COMR , AO3401 , AO3407 , PT4435 , SM103 .
History: CS3N80FA9 | SFS9620 | SE120120G | SE100150G | HY3408AP | NCEP60ND30AG | NTD110N02RG
History: CS3N80FA9 | SFS9620 | SE120120G | SE100150G | HY3408AP | NCEP60ND30AG | NTD110N02RG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678