PT4410 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PT4410
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 13 ns
Выходная емкость (Cd): 270 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0105 Ohm
Тип корпуса: SOP8
PT4410 Datasheet (PDF)
1.1. pt4410.pdf 
Size:1554K _htsemi
PT4410 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 30V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@12A = 10.5m? RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@12A = 15m? Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Improved Shoot-Through FOM Package Dimensions D D D D 8 7 6 5 1 2 3 4 S S S G Millimeter Millimeter REF.
Другие MOSFET... NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , IRF740 , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 .
