PT4435 Todos los transistores

 

PT4435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PT4435

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 37.2 nC

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 225 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.018 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOP8

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PT4435 Datasheet (PDF)

1.1. pt4435.pdf Size:2581K _htsemi

PT4435
PT4435

PT4435 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-10.5A = 18m? RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-6.0A = 30m? Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Package Dimensions D D D D 8 7 6 5 1 2 3 4 S S S G Millimeter Millimeter REF. Min. Max. Min. Max. REF. A 5.80 6.20 M 0.10 0.25 B 4.80 5.00 H

Otros transistores... NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , IRF740 , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 .

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