PT4435 Todos los transistores

 

PT4435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PT4435
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de PT4435 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PT4435 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2581K  htsemi
 pt4435.pdf pdf_icon

PT4435

PT443530V P-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-10.5A = 18m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-6.0A = 30m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Package Dimensions D D D D8 7 6 51 2 3 4S S S GMillimeter Millimeter REF. Min. Max. Min. Max. REF. A 5.80 6.20 M 0.10 0.25 B 4.80

 ..2. Size:342K  cn puolop
 pt4435.pdf pdf_icon

PT4435

PT4435 -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETVDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-10.5A = 18m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-6.0A = 30m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Package Dimensions D D D D8 7 6 51 2 3 S S S GMillimeter Millimeter REF. Min. Max. Min. Max. REF. A 5.80 6.20 M 0.10 0.25 B 4.80

Otros transistores... PT8822 , PT4410 , PT9926 , SI2301 , SI2305 , XP152A12COMR , AO3401 , AO3407 , AON6380 , SM103 , SM104 , SMY50 , SMY51 , SMY52 , SMY60 , U105D , 2N7002KDW .

History: SML50A19 | HRU180N10K

 

 
Back to Top

 


 
.