PT4435 Todos los transistores

 

PT4435 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PT4435

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: SOP8

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PT4435 datasheet

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PT4435

PT4435 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-10.5A = 18m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-6.0A = 30m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Package Dimensions D D D D 8 7 6 5 1 2 3 4 S S S G Millimeter Millimeter REF. Min. Max. Min. Max. REF. A 5.80 6.20 M 0.10 0.25 B 4.80

 ..2. Size:342K  cn puolop
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PT4435

PT4435 -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-10.5A = 18m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-6.0A = 30m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Package Dimensions D D D D 8 7 6 5 1 2 3 S S S G Millimeter Millimeter REF. Min. Max. Min. Max. REF. A 5.80 6.20 M 0.10 0.25 B 4.80

Otros transistores... PT8822 , PT4410 , PT9926 , SI2301 , SI2305 , XP152A12COMR , AO3401 , AO3407 , IRFZ24N , SM103 , SM104 , SMY50 , SMY51 , SMY52 , SMY60 , U105D , 2N7002KDW .

History: APT5014B2VFRG | SI3812DV | WSP6064

 

 

 

 

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