PT4435 Todos los transistores

 

PT4435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PT4435

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 37.2 nC

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 225 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.018 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PT4435

 

PT4435 Datasheet (PDF)

1.1. pt4435.pdf Size:2581K _htsemi

PT4435
PT4435

PT4435 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-10.5A = 18m? RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-6.0A = 30m? Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Package Dimensions D D D D 8 7 6 5 1 2 3 4 S S S G Millimeter Millimeter REF. Min. Max. Min. Max. REF. A 5.80 6.20 M 0.10 0.25 B 4.80 5.00 H

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 
Back to Top

 


PT4435
  PT4435
  PT4435
  PT4435
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: SIZ710DT | SIZ704DT | SIZ702DT | SIZ342DT | SIZ340DT | SIZ300DT | SIX3439K | SISS40DN | SISS23DN | SISA18DN | SISA18ADN | SISA14DN | SISA12DN | SISA12ADN | SISA10DN |

 

 

 
Back to Top