PT4435 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PT4435
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 37.2 nC
Выходная емкость (Cd): 225 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018 Ohm
Тип корпуса: SOP8
PT4435 Datasheet (PDF)
1.1. pt4435.pdf 
Size:2581K _htsemi
PT4435 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-10.5A = 18m? RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-6.0A = 30m? Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Package Dimensions D D D D 8 7 6 5 1 2 3 4 S S S G Millimeter Millimeter REF. Min. Max. Min. Max. REF. A 5.80 6.20 M 0.10 0.25 B 4.80 5.00 H
Другие MOSFET... PT8822 , PT4410 , PT9926 , SI2301 , SI2305 , XP152A12COMR , AO3401 , AO3407 , J113 , SM103 , SM104 , SMY50 , SMY51 , SMY52 , SMY60 , U105D , 2N7002KDW .
