PT4435 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PT4435
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для PT4435
PT4435 Datasheet (PDF)
pt4435.pdf

PT443530V P-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-10.5A = 18m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-6.0A = 30m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Package Dimensions D D D D8 7 6 51 2 3 4S S S GMillimeter Millimeter REF. Min. Max. Min. Max. REF. A 5.80 6.20 M 0.10 0.25 B 4.80
pt4435.pdf

PT4435 -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETVDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-10.5A = 18m RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-6.0A = 30m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Package Dimensions D D D D8 7 6 51 2 3 S S S GMillimeter Millimeter REF. Min. Max. Min. Max. REF. A 5.80 6.20 M 0.10 0.25 B 4.80
Другие MOSFET... PT8822 , PT4410 , PT9926 , SI2301 , SI2305 , XP152A12COMR , AO3401 , AO3407 , 8N60 , SM103 , SM104 , SMY50 , SMY51 , SMY52 , SMY60 , U105D , 2N7002KDW .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APG60N10S | APG120N04NF | AP8G06S | AP6P04S | AP6G03S | AP65N06DF | AP65N06D | AP4957A | AP15H06S | AP10G04S | AP90N08NF | AP8P06S | AP4G02LI | AP4606B | AP3P06MI | AP2302AI
Popular searches
2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent